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| 英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS源极底置功率MOSFET |
| 来源：中电网 |
发布时间：2023-01-14 |
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| 英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开辟了新的可能性。 |
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